晶合集成1.8亿像素相机全画幅CMOS成功试产:业内首颗
今日,晶合集成宣布与思特威联合推出业内首颗1.8亿像素全画幅(2.77英寸)CMOS图像传感器(以下简称CIS),为高端单反相机应用图像传感器提供更多选择。
据了解,晶合集成基于自主研发的55纳米工艺平台,与思特威共同开发光刻拼接技术,克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困难,成功突破了在单个芯片尺寸上,所能覆盖一个常规光罩的极限。
同时确保在纳米级的制造工艺中,拼接后的芯片依然保证电学性能和光学性能的连贯一致。
晶合集成表示,首颗1.8亿像素全画幅CIS的成功试产,既标志着光刻拼接技术在大靶面传感器领域的成功运用,也为未来更多大靶面全画幅、中画幅传感器的开发铺平了道路。
据介绍,该产品具备1.8亿超高像素8K 30fps PixGain HDR模式高帧率及超高动态范围等多项领先性能,可兼容不同光学镜头。
并且提升产品在终端灵活应用的适配能力,打破了日本索尼在超高像素全画幅CIS领域长期垄断地位。
晶合集成官网显示,晶合集成成立于2015年5月,由合肥市建设投资控股(集团)有限公司与力晶创新投资控股股份有限公司合资建设。
晶合集成专注于半导体晶圆生产代工服务,已实现显示驱动芯片(DDIC)、微控制器(MCU)、CMOS图像传感器(CIS)、电源管理(PMIC)、逻辑应用(Logic)等平台各类产品量产,产品应用涵盖消费电子、智能手机、智能家电、安防、工控、车用电子等领域。
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